| |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Главная страница » Энциклопедия строителя содержание: [стр.Введение] [стр.1] [стр.2] страница - 1 диаметром 6 мм и высотой 6 мм. На рабочей поверхности каждого образца был нанесен материал электрода методом электроакустического напыления. В качестве эталона был взят образец без напыления из материала электродов. Профили дифракционных отражений для эталона (а) и для рабочих образцов (б - е) при напылении электродом из стали 45, приведены на рисунке 1. 110220 20, град20, град Рисунок 2 - Профили дифракционных отражений: а) крупнокристаллического эталона; б) напыленного образца (U=17 В, А = 5 мкм); в) U= 13 В, А = 15 мкм; г) U= 13 В, А = 10 мкм; д) U=13 В, А = 5 мкм; е) U=9 В, А = 15 мкм. Во всех случаях варьировались электрическое напряжение, подводимое к электродам (u) и амплитуда (a) ультразвуковых колебаний. Процентное содержание аморфной фазы оценивалось по отношению интенсивностей пиков образца и эталона (без учета текстурной компоненты). По экспериментальным данным было установлено, что исследуемые образцы представляют собой a- Fe. Величина физического уширения линий дифрактограммы, обусловленная дисперсностью блоков частиц была найдена методом Шеррера-Вилсона [7]. Расчетные значения физического уширения в, межплоскостного расстояния d, параметра решетки а и размер ОКР для рефлексов <110> и <220> представлены в таблице 1. Таблица 1 - Расчетные параметры кристаллической структуры и данные дифрактограмм
Как видно из таблицы 1, наблюдается заметное уширение дифракционных пиков. Данное уширение вызвано, по нашему мнению, в гораздо большей степени дисперсность кристаллитов, чем возникающими в поверхностном слое микронапряжениями. Такой вывод основан на предварительной оценке, Рисунок 3 - Зависимость параметра решетки a от величины физического уширения в при варьировании технологических режимов Как видно, зависимости на рис 3. нельзя считать однозначными, т.е. делать вывод о росте или уменьшении a при изменении технологических параметров, однако с увеличением физического уширения величина a однозначно возрастает. Аналогичное явление наблюдается для оксидов, т.е. при увеличении физического уширения дифракционных пиков, вызванного уменьшением размеров кристаллитов, наблюдается увеличение параметров решетки [8]. Неоднозначное изменение величины a в зависимости от технологических параметров является характерным для нанокристаллических металлов вообще [1] и зависит от метода их получения. Зависимости параметров микроструктуры от технологических параметров представлены на рис. 4. Выше приведенные факты являются прямым свидетельством наличия в напыленном слое наноразмерного эффекта [1], что подтверждается расчетным размером ОКР. Также легко видеть, что величины размеров ОКР для рефлексов 110 и 220 заметно расходятся, как и процентное содержание аморфной фазы, что проведенной по методу Уоррена-Авербаха [7] с разделением вкладов от обоих факторов. Кроме того, происходит небольшое (на сотые доли градуса) смещение положения центра тяжести пиков на дифрактограммах и увеличение параметра решетки a в диапазоне 1.14 - 1.16 %. Зависимость величины физического уширения от величины параметра решетки при варьировании напряжения, подводимого к электроду, и амплитуды ультразвуковых колебаний приведена на рис.3. содержание: [стр.Введение] [стр.1] [стр.2] |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
© ЗАО "ЛэндМэн" |